Алюміній нітрид чистий (ALN) 100 грм

• CAS:24304-00-5.
• Молочна формула:Ал
• Код продукції:130700ст
• чистота:99,9%
• Технічні характеристики:1 дюйм Dia x 0,125 дюйма th.etc
• EINECS №:246-140-8

Характерна риса

Нітрид алюмінію (ALN) — це твердий нітрид алюмінію. Він має високу теплопровідність до 285 Вт/(м· к) і являє собою електричний ізолятор. Його Wartzite Phase (W-Aln) має зону зони ~ 6 ел. за кімнатної температури та потенційне застосування в оптоелектроніці, що працює на глибоких ультрафіолетових частотах.

Хімічна формула: ALN

Молярна маса: 40,989 г/мель

Зовнішній вигляд: білий до блідо-жовтої твердої речовини

Щільність: 3,255 г/см³

Точка плавлення: 2500 °C (4,530 ° F; 2,770 k)

Розчинність у воді: гідролізує (порошок), нерозчинний (монокористалічний)

Нерозчинна розчинність, предмет гідролізу в водяних розчинах баз і кислот

Band Gap: 6.015 EV

Мобільність електронів: ~ 300 см²/(Против)

Теплопровідність: 285 Вт / (м · k)

Індекс заломлення (ND): 2.1-2,2 (кристали) 1.8-1,9 (аморфний)

Кристалічна структура: Wurtzite

заявка

Епітоксиально вирощена тонкість кристалічного алюмінію нітриду використовується для поверхневих акустичних датчиків (піл), нанесених на кремнієві вафлі через п'єзоелектричні властивості ALN. Один застосунок являє собою RF-фільтр, який широко використовується в мобільних телефонах, який називається тонкою плівковою масою акустичного резонатора (FBAR). Це пристрій MEMS, який використовує алюмінієвий нітрид, затиснутий між двома металевими шарами.

ALN також використовується для побудови п'єзоелектричних мікромшиних ультразвукових перетворювачів, які випромінюють і отримують ультразвук, і які можуть бути використані для дальності повітря на відстані до метра.

Методи металізації доступні для використання ALN в електроніці програми, аналогічні оксиду оксиду оксиду оксиду оксиду оксиду алюмінію та бериля. Aln NanoTubes як неорганічних квазинорозмірних нанотрубок, які представляють ізоелектронні з вуглецевими нанотрубками, були запропоновані як хімічні датчики для токсичних газів.

Зараз багато досліджень у розробленні світлодіодних діодів для роботи в ультрафіолетовому використанні напівпровідників на основі нітриду галію, і, використовуючи нітрид алюмінію сплавів, довжини хвиль до 250 нм були досягнуті. 2006 року було узагальнене неефективне випромінювання світлодіодів ALN за 210 нм.